Aquí informamos sobre el transistor de película delgada de óxido de galio, indio y estaño amorfo (a-IGTO) de alto rendimiento con aislante de compuerta de óxido de aluminio de circonio (ZAO) por pirólisis de pulverización. La relación de Ga en la solución precursora de IGTO varió hasta el 20%. El a-IGTO pirólisis de pulverización con un aislante de compuerta ZAO de alta k (GI) exhibe la movilidad de campo efectivo () de 16 cmVs, voltaje umbral (V) de -0.45 V pendiente de subumbral (SS) de 133 mV/dec., y relación de corriente ON/OFF de ~10. El TFT a-IGTO óptimo muestra una excelente estabilidad bajo estrés de temperatura de polarización positiva (PBTS) con un pequeño desplazamiento de V de 0.35 V. Las mejoras se deben a la alta calidad de la película y menos trampas interfaciales en la interfaz a-IGTO/ZAO. Por lo tanto, el TFT a-IGTO pirólisis de pulverización puede ser un candidato prometedor para TFT flexibles en la pantalla de próxima generación.