Se demostraron las características de memoria de un dispositivo de memoria flash que utiliza películas delgadas de óxido de indio, galio y zinc cristalino alineadas en el eje c (CAAC-IGZO) como material de canal. Las películas delgadas de CAAC-IGZO pueden reemplazar el canal de polisilicio actual, que tiene una movilidad reducida debido a la degradación inducida por granos. Las películas delgadas de CAAC-IGZO se lograron utilizando una capa de catalizador de tantalio con recocido. Se evaluó un transistor de película delgada (TFT) con películas delgadas de SiO/SiN/AlO y CAAC-IGZO, donde AlO se utilizó para la capa de túnel, para una aplicación de memoria flash y se comparó con un dispositivo que utiliza un canal de IGZO amorfo (-IGZO). También se evaluaron una fuente y un drenaje utilizando óxido de estaño e indio y aluminio para dispositivos de memoria flash TFT con materiales de canal cristalizados y amorfos. En comparación con el dispositivo -IGZO, se lograron una corriente de encendido más alta (I), una movilidad de portadores de efecto de campo mejorada (), una trampa de cuerpo más baja (N), una ventana de memoria más amplia (V) y mejores características de retención y resistencia utilizando el dispositivo CAAC-IGZO.