Un transistor de efecto de campo de metal-aislante de canal p de nitruro de galio de modo de mejora con una puerta trasera enterrada para circuitos lógicos complementarios de una sola viruta de nitruro de galio
Autores: Wang, Haochen; Chen, Kuangli; Yang, Ning; Zhu, Jianggen; Duan, Enchuan; Huang, Shuting; Zhao, Yishang; Zhang, Bo; Zhou, Qi
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2024
Acceso abierto
Artículo científico
2024
Un transistor de efecto de campo de metal-aislante de canal p de nitruro de galio de modo de mejora con una puerta trasera enterrada para circuitos lógicos complementarios de una sola viruta de nitruro de galio
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Propuesto
Modo de mejora
GaN p-MISFET
Puerta trasera enterrada
Estructura de doble puerta
Simulación TCAD
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 38
Citaciones: Sin citaciones
En este trabajo, se propone un nuevo GaN p-MISFET de modo de mejora con una compuerta trasera enterrada (BBG) para mejorar la capacidad de modulación de compuerta a canal de una corriente de drenaje alta.
Descripción
En este trabajo, se propone un nuevo GaN p-MISFET de modo de mejora con una compuerta trasera enterrada (BBG) para mejorar la capacidad de modulación de compuerta a canal de una corriente de drenaje alta.