Se propone una estructura de MOSFET de canal finito de SiC (Fin-MOS) para lograr un efecto de blindaje de compuerta mejorado. Las compuertas se colocan a cada lado de la región estrecha del canal finito, mientras que las regiones de blindaje p a tierra debajo de las compuertas proporcionan un fuerte efecto de blindaje. El dispositivo se investiga utilizando Sentaurus TCAD. Para una región estrecha del canal finito, hay dificultades para formar un contacto óhmico con la base p; una base p flotante podría potencialmente almacenar cargas negativas bajo un voltaje de drenaje alto y, por lo tanto, causar inestabilidades en el voltaje umbral. La simulación revela que, para un ancho de finito de 0.2 m, las regiones de blindaje p proporcionan un efecto de blindaje estricto contra un voltaje de drenaje alto, y el cambio dinámico en el voltaje umbral (delta) es despreciable. En comparación con el MOSFET de trinchera convencional (Trench-MOS) y el MOSFET de trinchera asimétrico (Asym-MOS), el Fin-MOS propuesto tiene el campo de óxido en estado OFF más bajo y la capacitancia de transferencia inversa () más baja, manteniendo una resistencia ON baja similar.