Transistor de efecto de campo de túnel de van der Waals de WSe/SnSe ajustable por puerta de baja potencia
Autores: Abderrahmane, Abdelkader; Woo, Changlim; Ko, Pil-Ju
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2022
Acceso abierto
Artículo científico
2022
Transistor de efecto de campo de túnel de van der Waals de WSe/SnSe ajustable por puerta de baja potencia
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Dispositivo nanoelectrónico
Transistor de efecto túnel
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 29
Citaciones: Sin citaciones
Los dispositivos electrónicos y sensores basados en los dicalcogenuros de metales de transición bidimensionales (TMDCs) han atraído la atención como prometedores dispositivos electrónicos y sensores de próxima generación.
Descripción
Los dispositivos electrónicos y sensores basados en los dicalcogenuros de metales de transición bidimensionales (TMDCs) han atraído la atención como prometedores dispositivos electrónicos y sensores de próxima generación.