En este documento se propone e investiga un nuevo concepto de Transistor Bipolar de Puerta Aislada con Conducción Inversa de Baja Pérdida con estructura Mejorada de Inyección en el Colector (RC-IGBT-CIE) utilizando simulaciones. En la conducción inversa (modo de diodo encendido), la estructura CIE mejora la concentración de portadores en el lado del colector del RC-IGBT-CIE propuesto, lo que resulta en un bajo voltaje de conducción inversa (V). La baja pérdida de recuperación inversa y la baja pérdida de encendido utilizando un circuito de carga inductiva se obtienen mediante el uso del perfil de concentración de portadores modificado resultante tanto del efecto CIE como del emisor p de baja eficiencia de inyección. Los resultados de la simulación muestran que, con la misma suma de pérdida de encendido y pérdida de recuperación inversa (E + E), en comparación con el RC-IGBT convencional con tiristor antiparalelo (RC-IGBT-tiristor), el RC-IGBT-CIE reduce V en un 9,2%, y al mismo tiempo, con el mismo voltaje total de conducción (V + V), la pérdida total de conmutación (E + E + E) se reduce en un 20,9% pero no sacrifica la capacidad de cortocircuito.