La autoensamblaje fluidico es un método versátil de integración en chip. En este esquema, un gran número de microchips semiconductores se depositan espontáneamente sobre un chip anfitrión. El chip anfitrión típicamente comprende un sustrato de Si con una serie de bolsillos en los sitios designados para la colocación de microchips. En este estudio, instalamos una capa de SiO en la región de la terraza entre los bolsillos del chip anfitrión, para reducir la atracción con los microchips de Si. Con el esquema de terraza cubierta de SiO, demostramos una mejora significativa en la selectividad de deposición de los microchips de Si hacia los sitios de los bolsillos, en comparación con el caso del chip anfitrión convencional solo de Si. Explicamos teóricamente la mejora en la selectividad de deposición en términos de la interacción de van der Waals. Además, nuestro análisis cuantitativo implicó una posible aplicabilidad de los dieléctricos intercapas comúnmente utilizados, como HfO, silsesquioxanos y éteres alílicos, directamente como componente de la terraza.