Tipo de aislamiento parcial Saddle-FinFET (Pi-FinFET) para transistores de celda DRAM sub-30 nm
Autores: Kim, Young Kwon; Lee, Jin Sung; Kim, Geon; Park, Taesik; Kim, Hui Jung; Cho, Young Pyo; Park, Young June; Lee, Myoung Jin
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2018
Acceso abierto
Artículo científico
2018
Tipo de aislamiento parcial Saddle-FinFET (Pi-FinFET) para transistores de celda DRAM sub-30 nm
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Propuesto
Tipo de FinFET en forma de silla
Celda de DRAM
Efecto de canal corto
Pendiente subumbral
Fuga inducida por la compuerta de drenaje
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 41
Citaciones: Sin citaciones
En este documento, propusimos un nuevo tipo de FinFET en forma de silla (S-FinFET) para resolver de manera efectiva los problemas que ocurren bajo el nodo del capacitor de una celda de memoria de acceso aleatorio dinámica (DRAM) y demostramos cómo su estructura era superior a los S-FinFET convencionales en términos de efecto de canal corto (SCE), pendiente subumbral (SS) y fuga de drenaje inducida por compuerta (GIDL).
Descripción
En este documento, propusimos un nuevo tipo de FinFET en forma de silla (S-FinFET) para resolver de manera efectiva los problemas que ocurren bajo el nodo del capacitor de una celda de memoria de acceso aleatorio dinámica (DRAM) y demostramos cómo su estructura era superior a los S-FinFET convencionales en términos de efecto de canal corto (SCE), pendiente subumbral (SS) y fuga de drenaje inducida por compuerta (GIDL).