La memoria de acceso aleatorio resistiva (RRAM) basada en HfO con una capa de amortiguación de Ti ha sido ampliamente estudiada como candidata emergente de memoria no volátil (eNVM) debido a sus excelentes propiedades de conmutación resistiva (RS) y compatibilidad con el proceso CMOS. Sin embargo, aún es necesario incluir una comprensión detallada de la naturaleza de la RS dependiente del grosor de Ti y una investigación sistemática de degradación térmica sobre el efecto del tiempo de recocido posterior a la metalización (PMA) en la distribución de vacantes de oxígeno y el rendimiento de RS. Aquí se aborda por primera vez el impacto del grosor de la capa de amortiguación de Ti en el rendimiento de RS de los dispositivos Al/Ti/HfO/TiN. En consecuencia, hemos propuesto una estrategia simple para regular la corriente de fuga, el voltaje de formación, la ventana de memoria y la uniformidad variando el grosor de la capa de Ti. Además, se encontró que el dispositivo con 15 nm de Ti muestra la mínima variabilidad ciclo a ciclo (CCV) y variabilidad dispositivo a dispositivo (DDV), buena retención (10 s a 85 grados Celsius) y resistencia superior (10). Además, se lleva a cabo la degradación térmica de los dispositivos Al/Ti(15 nm)/HfO/TiN bajo diferentes tiempos de PMA a 400 grados Celsius. Se encontró que la corriente de fuga aumenta y el voltaje de formación y la ventana de memoria disminuyen con el aumento del tiempo de PMA debido a la oxidación térmicamente activada del Ti. Sin embargo, cuando el tiempo de PMA aumenta a 30 min, el Ti ya no puede capturar oxígeno de HfO debido a la formación de TiO auto limitado. Por lo tanto, el dispositivo muestra una estabilidad térmica superior con un tiempo de PMA de 90 min a 400 grados Celsius y sin degradación de la ventana de memoria, uniformidad, resistencia o retención. Este trabajo demuestra que la RRAM basada en Ti/HfO muestra una compatibilidad superior con la línea posterior de alta temperatura con alta estabilidad térmica de hasta 400 grados Celsius durante más de una hora.