El proceso damasceno Cu/low-k fue introducido para aliviar el aumento en el retardo RC de las interconexiones Al/SiO, pero ahora que la generación de tecnología ha alcanzado 1x nm o menos, se han vuelto aparentes una serie de limitaciones. Debido al límite de integración de los materiales low-k, el aumento en el retardo RC debido a la escala solo puede ser suprimido a través de la metalización. Como resultado, se han propuesto varios métodos de metalización, incluido el escalado tradicional del grosor de la barrera/forro, y se han desarrollado nuevos materiales y esquemas de integración. Este documento introduce estos métodos y resume las tendencias recientes en metalización. También incluye una breve introducción al proceso damasceno de Cu, una explicación de por qué el enfoque low-k enfrenta limitaciones, y una discusión de las medidas de fiabilidad (electromigración y fallo dieléctrico dependiente del tiempo) que son esenciales para todos los esquemas de validación.