Nos enfocamos en la importancia de la evaporación del disolvente regida por la temperatura de la etapa de pre-annealing (T) en transistores de película delgada de óxido de zinc y estaño (ZTO) procesados por solución. Controlamos T basándonos en el punto de ebullición (B) del disolvente utilizado. Cuando T alcanza el B, se encuentra que la movilidad de efecto de campo es de aproximadamente 1.03 cm2/V s, que es 10 veces mayor que en el caso T < B (0.13 cm/V s). Se presume que la razón es que los defectos orgánicos residuales se eliminan de manera efectiva a medida que T aumenta. Además, cuando Ts está más allá de Bp, la movilidad disminuye debido a defectos estructurales como poros y agujeros de alfiler. Basándonos en nuestros resultados, se destaca que T juega un papel significativo en la mejora del rendimiento eléctrico y la estabilidad de los transistores ZTO de película delgada procesados por solución.