Hoy en día, el semiconductor de tercera generación liderado por GaN ha traído grandes cambios a la industria de semiconductores. Utilizando sus características de un ancho de banda amplio, un alto campo eléctrico de ruptura y una alta movilidad electrónica, el material de GaN se aplica ampliamente en áreas como la comunicación 5G y los vehículos eléctricos para mejorar la conservación de energía y reducir las emisiones. Sin embargo, con el progreso en el desarrollo de la electrónica de GaN, los defectos de superficie e interfaz se han convertido en un problema principal que limita la promoción adicional de su rendimiento y estabilidad, aumentando la corriente de fuga y causando degradación en el voltaje de ruptura. Por lo tanto, para reducir el daño, se introducen tecnologías de tratamiento de plasma en el proceso de fabricación de electrónica de GaN. Hasta ahora, se han establecido diseños como la capa de tapa p-GaN de alta resistividad, la terminación pasivante y el proceso de recuperación de superficie a través del tratamiento de plasma, alcanzando los objetivos de transistores normalmente apagados, diodos con alto voltaje de ruptura y electrónica de GaN de alta fiabilidad, etc. En este artículo, se discutirán las tecnologías de tratamiento de plasma de hidrógeno, flúor, oxígeno y nitrógeno, y se revisará y comparará su aplicación en la electrónica de GaN.