Este documento presenta un estudio exhaustivo de los efectos de la radiación en un sintetizador de frecuencia diseñado en una tecnología CMOS de 0.18 um. En dispositivos CMOS, el efecto de un impacto de partículas de alta energía puede ser modelado por un pulso de corriente conectado al drenaje de los transistores. Los efectos de SET (transitorio de evento único) y SEU (corrupción de evento único) fueron analizados conectando pulsos de corriente a los drenajes de todos los transistores y analizando las variaciones de amplitud y desplazamientos de fase obtenidos en los nodos de salida. Siguiendo este procedimiento, se detectaron los circuitos más sensibles. Este documento propone una combinación de técnicas de endurecimiento por diseño ante la radiación (RHBD) como filtrado resistor-capacitor (RC) o redundancia de circuitos locales para mitigar los efectos de la radiación. Las modificaciones propuestas hacen que el sintetizador de frecuencia sea más robusto contra la radiación.