Las memorias NAND Flash han ganado una tremenda atención debido a la creciente demanda de capacidad de almacenamiento. Esto implica que las celdas NAND necesitan escalar continuamente para mantener el ritmo de la evolución tecnológica. A pesar de que la tecnología de memoria NAND Flash ha evolucionado de un concepto tradicional en 2D hacia una estructura en 3D, los problemas tradicionales de fiabilidad relacionados con el óxido del túnel continúan persistiendo. En este documento, revisamos varias técnicas recientes para separar los efectos de la carga del óxido y el flujo de corriente de túnel en las características de resistencia, especialmente en las estadísticas de reducción de la transconductancia. Un análisis detallado nos permite obtener un modelo basado en medidas físicas que captura las principales características de varios procedimientos de prueba de resistencia. Los fenómenos investigados y los resultados podrían ser útiles para el desarrollo tanto de memorias NAND Flash convencionales como emergentes.