El bias a granel como técnica de mitigación de transitorios únicos analógicos con penalización despreciable
Autores: Liu, Jingtian; Sun, Qian; Liang, Bin; Chen, Jianjun; Chi, Yaqing; Guo, Yang
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2019
Acceso abierto
Artículo científico
2019
El bias a granel como técnica de mitigación de transitorios únicos analógicos con penalización despreciable
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Transitor de efecto de campo de óxido de metal semiconductor
Sensibilidad
Transitorios de un solo evento
Amplificador de fuente común
Bulk atado a la fuente
Endurecido por diseño contra la radiación
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 28
Citaciones: Sin citaciones
En el diseño de circuitos analógicos, los bulks de los MOSFETs pueden ser conectados a sus respectivas fuentes para eliminar el efecto cuerpo. Este documento modela y analiza la sensibilidad de transitorios de eventos únicos (SETs) en un amplificador de fuente común (CS) con bulk conectado a la fuente (BTS) en tecnología CMOS de bulk de doble pozo de 40 nm. Los resultados de la simulación muestran que la técnica propuesta BTS de diseño endurecido por radiación (RHBD) puede reducir la recolección de carga y suprimir de manera efectiva la perturbación inducida por SET en varias condiciones de entrada del circuito. El análisis detallado muestra que la mitigación de SET se debe principalmente a la polarización directa del potencial del bulk. Esta técnica es universalmente aplicable en el diseño de endurecimiento por radiación para circuitos analógicos con un impacto negligente.
Descripción
En el diseño de circuitos analógicos, los bulks de los MOSFETs pueden ser conectados a sus respectivas fuentes para eliminar el efecto cuerpo. Este documento modela y analiza la sensibilidad de transitorios de eventos únicos (SETs) en un amplificador de fuente común (CS) con bulk conectado a la fuente (BTS) en tecnología CMOS de bulk de doble pozo de 40 nm. Los resultados de la simulación muestran que la técnica propuesta BTS de diseño endurecido por radiación (RHBD) puede reducir la recolección de carga y suprimir de manera efectiva la perturbación inducida por SET en varias condiciones de entrada del circuito. El análisis detallado muestra que la mitigación de SET se debe principalmente a la polarización directa del potencial del bulk. Esta técnica es universalmente aplicable en el diseño de endurecimiento por radiación para circuitos analógicos con un impacto negligente.