Técnica de linearización de amplificadores operacionales de baja potencia en tecnologías CMOS FD-SOI
Autores: Kuzmicz, Wieslaw
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2021
Acceso abierto
Artículo científico
2021
Técnica de linearización de amplificadores operacionales de baja potencia en tecnologías CMOS FD-SOI
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Comentarios
Puerta trasera
Dispositivos MOS
FD-SOI
Tecnologías CMOS
Amplificadores operacionales
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 31
Citaciones: Sin citaciones
La retroalimentación negativa aplicada a la compuerta trasera de dispositivos MOS disponibles en tecnologías CMOS FD-SOI (silicio sobre aislante completamente agotado) se puede utilizar para mejorar la linealidad de amplificadores operacionales. Dos amplificadores operacionales diseñados y fabricados en una tecnología FD-SOI de 22 nm ilustran esta técnica, así como sus ventajas y limitaciones.
Descripción
La retroalimentación negativa aplicada a la compuerta trasera de dispositivos MOS disponibles en tecnologías CMOS FD-SOI (silicio sobre aislante completamente agotado) se puede utilizar para mejorar la linealidad de amplificadores operacionales. Dos amplificadores operacionales diseñados y fabricados en una tecnología FD-SOI de 22 nm ilustran esta técnica, así como sus ventajas y limitaciones.