Supresión de picos de voltaje de MOSFET en circuito inversor H-Bridge
Autores: Aboadla, Ezzidin Hassan; Khan, Sheroz; Abdul Kadir, Kushsairy; Md Yusof, Zulkhairi; Habaebi, Mohamed Hadi; Habib, Shabana; Islam, Muhammad; Hasan, Mohammad Kamrul; Hossain, Eklas
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2021
Acceso abierto
Artículo científico
2021
Supresión de picos de voltaje de MOSFET en circuito inversor H-Bridge
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Electrónica de potencia
Interruptores de semiconductor
MOSFETs
Inductores
Capacitores
Resistencias
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 34
Citaciones: Sin citaciones
Los dispositivos de electrónica de potencia están hechos de interruptores semiconductores como tiristores, MOSFETs y diodos, junto con elementos pasivos de inductores, condensadores y resistencias, y circuitos integrados. Son ampliamente utilizados en el procesamiento de energía para aplicaciones en informática, comunicación, electrónica médica, control de electrodomésticos y como convertidores en transmisión de corriente continua y alterna de alta potencia en lo que ahora se llama redes armonizadas AC/DC.
Descripción
Los dispositivos de electrónica de potencia están hechos de interruptores semiconductores como tiristores, MOSFETs y diodos, junto con elementos pasivos de inductores, condensadores y resistencias, y circuitos integrados. Son ampliamente utilizados en el procesamiento de energía para aplicaciones en informática, comunicación, electrónica médica, control de electrodomésticos y como convertidores en transmisión de corriente continua y alterna de alta potencia en lo que ahora se llama redes armonizadas AC/DC.