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Supresión de picos de voltaje de MOSFET en circuito inversor H-Bridge

Autores: Aboadla, Ezzidin Hassan; Khan, Sheroz; Abdul Kadir, Kushsairy; Md Yusof, Zulkhairi; Habaebi, Mohamed Hadi; Habib, Shabana; Islam, Muhammad; Hasan, Mohammad Kamrul; Hossain, Eklas

Idioma: Inglés

Editor: MDPI

Año: 2021

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Acceso abierto

Artículo científico
2021

Supresión de picos de voltaje de MOSFET en circuito inversor H-Bridge


Categoría

Ingeniería y Tecnología

Subcategoría

Ingeniería Eléctrica y Electrónica

Palabras clave

Electrónica de potencia
Interruptores de semiconductor
MOSFETs
Inductores
Capacitores
Resistencias

Licencia

CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual

Consultas: 34

Citaciones: Sin citaciones


Descripción
Los dispositivos de electrónica de potencia están hechos de interruptores semiconductores como tiristores, MOSFETs y diodos, junto con elementos pasivos de inductores, condensadores y resistencias, y circuitos integrados. Son ampliamente utilizados en el procesamiento de energía para aplicaciones en informática, comunicación, electrónica médica, control de electrodomésticos y como convertidores en transmisión de corriente continua y alterna de alta potencia en lo que ahora se llama redes armonizadas AC/DC.

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