Trapping dynamics in GaN HEMTs for millimeter-wave applications: measurement-based characterization and technology comparison
Autores: Angelotti, Alberto Maria; Gibiino, Gian Piero; Florian, Corrado; Santarelli, Alberto
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2021
Acceso abierto
Artículo científico
2021
Trapping dynamics in GaN HEMTs for millimeter-wave applications: measurement-based characterization and technology comparison
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Efectos de atrapamiento de carga
Nitruro de galio
Transistores de alta movilidad electrónica
Modelado compacto basado en mediciones
Dinámica de atrapamiento
Tecnologías comerciales de GaN HEMT
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 30
Citaciones: Sin citaciones
Los efectos de atrapamiento de carga representan un desafío importante en la evaluación del rendimiento y en la modelización compacta basada en mediciones de modernos dispositivos con longitud de compuerta corta (es decir,).
Descripción
Los efectos de atrapamiento de carga representan un desafío importante en la evaluación del rendimiento y en la modelización compacta basada en mediciones de modernos dispositivos con longitud de compuerta corta (es decir,).