Diseño de celda SRAM basado en Ge-DLTFET endurecido contra la radiación y consciente de errores suaves
Autores: Raikwal, Pushpa; Kumar, Prashant; Panchore, Meena; Dwivedi, Pushpendra; Cecil, Kanchan
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2023
Acceso abierto
Artículo científico
2023
Diseño de celda SRAM basado en Ge-DLTFET endurecido contra la radiación y consciente de errores suaves
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Dispositivos semiconductores sensibles a errores suaves
Endurecidos a la radiación
Ge DLTFET
SEU
RHBD.
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 38
Citaciones: Sin citaciones
En este trabajo, se ha implementado una celda SRAM 6T resistente a la radiación y consciente de errores suaves utilizando un FET de túnel sin dopaje basado en germanio (Ge DLTFET).
Descripción
En este trabajo, se ha implementado una celda SRAM 6T resistente a la radiación y consciente de errores suaves utilizando un FET de túnel sin dopaje basado en germanio (Ge DLTFET).