Se presenta una nueva metodología avanzada para mejorar la extracción de parámetros en memorias resistivas. La resistencia en serie y algunos otros parámetros en memorias resistivas son obtenidos, haciendo uso de un algoritmo de dos etapas, donde la segunda se basa en una cuasi-interpolación en particiones no uniformes. El uso de esta última técnica matemática avanzada proporciona un procedimiento numéricamente robusto, y en este manuscrito nos enfocamos en ello. La resistencia en serie, un parámetro esencial para caracterizar la operación del circuito de memorias resistivas, se extrae de curvas experimentales medidas en dispositivos basados en óxido de hafnio como su capa dieléctrica. Las curvas experimentales son altamente no lineales, debido a la física subyacente que controla la operación del dispositivo, por lo que se necesita un procedimiento numérico estable. Los resultados también permiten expectativas prometedoras en la extracción masiva de nuevos parámetros que pueden ayudar en la caracterización del comportamiento del dispositivo eléctrico.