Los dispositivos de memoria de cambio resistivo (RS) están ganando reconocimiento como dispositivos de almacenamiento de datos debido al gran interés en su material de cambio, la perovskita de haluro (HP). Las características eléctricas incluyen histéresis en su relación corriente-voltaje. Esto se puede atribuir a la producción y migración de defectos. Esta propiedad permite que las HP se utilicen como materiales de RS en dispositivos de memoria. Sin embargo, las HP en 3D son vulnerables a la humedad y al entorno circundante, lo que hace que sus dispositivos sean más susceptibles a deteriorarse. Se reconoce el potencial de las perovskitas de dos dimensiones (2D)/cuasi-2D para aplicaciones optoelectrónicas, lo que las convierte en una alternativa viable para abordar las restricciones actuales. Las perovskitas de dos dimensiones/cuasi-2D se crean incluyendo cationes orgánicos extendidos en los marcos ABX. Al ajustar el número de capas de HP, es posible controlar las propiedades optoelectrónicas para lograr características específicas para ciertas aplicaciones. Este artículo presenta una visión general de las HP de 2D/cuasi-2D, incluyendo sus estructuras, energías de unión y transporte de carga, en comparación con las HP de 3D. A continuación, se discuten los principios operativos, los modos de RS (cambio bipolar y unipolar) en dispositivos de memoria RS. Finalmente, ha habido avances notables y recientes en el desarrollo de sistemas de memoria RS utilizando HP de 2D/cuasi-2D.