Un sintonizador de impedancia programable con alta resolución utilizando un proceso CMOS SOI de 0.18 um para una mejor linealidad
Autores: Bae, Younghwan; Jhon, Heesauk; Kim, Junghyun
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2019
Acceso abierto
Artículo científico
2019
Un sintonizador de impedancia programable con alta resolución utilizando un proceso CMOS SOI de 0.18 um para una mejor linealidad
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Novela
Sintonizador de impedancia electrónico
Interruptores
Transistores de efecto de campo
Amplificador de potencia
Prueba de carga-tiro
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 34
Citaciones: Sin citaciones
En este documento se propone un nuevo sintonizador de impedancia electrónica programable del tipo acoplador/reflexión combinado con interruptores que fueron fabricados mediante un proceso de silicio sobre aislante (SOI) de metal-óxido complementario de 0.18 um de la tecnología CMOS para reemplazar el sintonizador mecánico convencional en la prueba de extracción de carga de amplificadores de potencia (PA).
Descripción
En este documento se propone un nuevo sintonizador de impedancia electrónica programable del tipo acoplador/reflexión combinado con interruptores que fueron fabricados mediante un proceso de silicio sobre aislante (SOI) de metal-óxido complementario de 0.18 um de la tecnología CMOS para reemplazar el sintonizador mecánico convencional en la prueba de extracción de carga de amplificadores de potencia (PA).