Este estudio presenta un enfoque novedoso para la fabricación de nanocables (NWs) heteroestructurados ZnS/AlO/TaSe a través de la selenización de un precursor de película delgada metálica de Ta. El proceso de síntesis implica un protocolo de cuatro pasos meticulosamente diseñado: (1) generación de NWs de ZnS en un sustrato de silicio oxidado, (2) encapsulamiento de estos NWs con una capa delgada de AlO controlada con precisión mediante deposición de capas atómicas (ALD), (3) aplicación de una capa de precursor de Ta mediante pulverización catódica y (4) recocido en un ambiente rico en Se en un ampolla de cuarzo sellada al vacío para transformar la capa de Ta en TaSe, resultando en la estructura final de núcleo/cáscara. La caracterización de los NWs recién producidos utilizando microscopía electrónica de barrido (SEM), microscopía electrónica de transmisión (TEM), difracción de rayos X (XRD) y espectroscopía de fotoelectrones de rayos X (XPS) fue validada utilizando la integridad y composición de las heteroestructuras. Nuestro método no solo establece un nuevo camino para la síntesis de NWs de núcleo/cáscara basados en TaSe, sino que también amplía el potencial para crear una variedad de sistemas de NWs de núcleo/cáscara con capas de calcogenuros al adaptar el enfoque de precursor de película delgada metálica. Esta versatilidad abre el camino para futuros avances en aplicaciones de materiales a nanoescala, particularmente en electrónica y optoelectrónica donde las geometrías de núcleo/cáscara son cada vez más importantes.