Varios tipos de métodos de deposición de vapor químico (CVD) se han utilizado extensamente en las industrias de semiconductores para el crecimiento de cristales en masa, la deposición de películas delgadas y la síntesis de nanomateriales. En este artículo, nos enfocamos en el método de CVD de plasma de onda superficial excitado por microondas (MW-SWP CVD) para el crecimiento de grafeno y materiales relacionados. El sistema MW-SWP CVD, que consiste en guía de onda, antena de ranura y ventanas dieléctricas, es significativo para generar plasma de alta densidad con baja temperatura de electrones, lo que permite el crecimiento de materiales a baja temperatura sin dañar la superficie de los sustratos base. La síntesis de películas de grafeno y nitruro de boro hexagonal (hBN) se ha logrado en metales, semiconductores, aislantes y sustratos dieléctricos para aplicaciones en fotovoltaica, sensores, baterías, supercapacitores, celdas de combustible y varios otros dispositivos electrónicos. Se resumen los detalles del proceso de síntesis para películas de grafeno, grafeno orientado verticalmente, grafeno dopado y películas de hBN mediante el método MW-SWP CVD para comprender el mecanismo de crecimiento, lo que permitirá un mayor desarrollo del proceso de CVD de plasma para la síntesis de materiales a baja temperatura para aplicaciones industriales.