Efectos sinérgicos de la dosis total de ionización y la perturbación por evento único en la memoria estática de acceso aleatorio de silicio sobre aislante de 130 nm y 7T
Autores: Zhang, Zheng; Guo, Gang; Wang, Linfei; Xiao, Shuyan; Chen, Qiming; Gao, Linchun; Wang, Chunlin; Li, Futang; Zhang, Fuqiang; Zhao, Shuyong; Liu, Jiancheng
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2024
Acceso abierto
Artículo científico
2024
Efectos sinérgicos de la dosis total de ionización y la perturbación por evento único en la memoria estática de acceso aleatorio de silicio sobre aislante de 130 nm y 7T
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Dispositivos espaciales
Partículas cargadas de alta energía
Dosis ionizante total
Efecto de evento único
Procesos de fabricación de semiconductores
Memoria de acceso aleatorio estática
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
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Citaciones: Sin citaciones
La exposición de dispositivos espaciales a partículas cargadas de alta energía en el espacio resulta en la ocurrencia tanto de una dosis total de ionización (TID) como del efecto de evento único (SEE). Estos fenómenos presentan desafíos significativos para el funcionamiento confiable de naves espaciales y satélites.
Descripción
La exposición de dispositivos espaciales a partículas cargadas de alta energía en el espacio resulta en la ocurrencia tanto de una dosis total de ionización (TID) como del efecto de evento único (SEE). Estos fenómenos presentan desafíos significativos para el funcionamiento confiable de naves espaciales y satélites.