En este trabajo, se investigaron los efectos de diferentes factores, incluida la ubicación de impacto de los iones pesados, el ángulo de incidencia, el valor de transferencia de energía lineal (LET), el rango proyectado, la temperatura ambiente y el estado de polarización, sobre el evento transitorio único introducido por la irradiación de iones pesados en el transistor bipolar de heterounión SiGe (HBT) mediante la simulación TCAD. Los resultados muestran que el valor pico transitorio de corriente, la carga recolectada y el tipo de portador de cada terminal cambian según la ubicación de impacto, el ángulo de incidencia y el estado de polarización. El valor pico transitorio de corriente y la carga recolectada aumentan con el valor de LET, mientras que disminuyen con la temperatura ambiente. Cuando los iones pesados irradian verticalmente el colector y el sustrato, el valor pico transitorio de corriente y la carga recolectada aumentan con el rango proyectado; por lo tanto, las especies de iones pesados deben considerarse al estudiar los efectos de evento único del HBT SiGe inducidos por la irradiación de iones pesados. El mecanismo microfísico de estos factores que influyen en los efectos de evento único del HBT SiGe se discute en este trabajo.