Simulación de protrusión TSV en integración 3DIC cargando directamente en modelo de cristal de fase de grano grueso
Autores: Luo, Xiaoting; Huang, Zhiheng; Wang, Shuanjin; Xiao, Min; Meng, Yuezhong; Yan, Hui; Li, Qizhuo; Wang, Gang
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2022
Acceso abierto
Artículo científico
2022
Simulación de protrusión TSV en integración 3DIC cargando directamente en modelo de cristal de fase de grano grueso
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Gestión térmica
Integración 3DIC
A través de silicio-via
Protrusión
Modelo de cristal de campo de fase
Integración 3DIC basada en TSV
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 35
Citaciones: Sin citaciones
A medida que la gestión térmica en la integración 3DIC se vuelve cada vez más importante en los procesos de nodos semiconductores avanzados, se demandan en gran medida enfoques experimentales y de modelado novedosos para revelar los problemas críticos de materiales que involucran microestructuras multiscale que rigen el comportamiento de la protrusión de a través de silicio-via (TSV).
Descripción
A medida que la gestión térmica en la integración 3DIC se vuelve cada vez más importante en los procesos de nodos semiconductores avanzados, se demandan en gran medida enfoques experimentales y de modelado novedosos para revelar los problemas críticos de materiales que involucran microestructuras multiscale que rigen el comportamiento de la protrusión de a través de silicio-via (TSV).