Simulación numérica de deriva-difusión de fotodiodos GaAs p-i-n y de barrera Schottky para interconexiones ópticas en chip de alta velocidad AB
Autores: Pisarenko, Ivan; Ryndin, Eugeny
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2016
Acceso abierto
Artículo científico
2016
Simulación numérica de deriva-difusión de fotodiodos GaAs p-i-n y de barrera Schottky para interconexiones ópticas en chip de alta velocidad AB
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Investigación
Desarrollo
Fotodetectores de semiconductor
Moduladores láser
Simulación
Fotodiodos
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 35
Citaciones: Sin citaciones
En este documento, consideramos el problema de la investigación y desarrollo de fotodetectores de semiconductores de alta velocidad adecuados para su funcionamiento como partes de interconexiones ópticas en el chip junto con moduladores láser de alta velocidad basados en nanoheteroestructuras AB.
Descripción
En este documento, consideramos el problema de la investigación y desarrollo de fotodetectores de semiconductores de alta velocidad adecuados para su funcionamiento como partes de interconexiones ópticas en el chip junto con moduladores láser de alta velocidad basados en nanoheteroestructuras AB.