Estudio de simulación de un tiristor de puerta con conducción inversa sin pérdidas de apagado y sin disparo con estructura N-Float de 4H-SiC
Autores: Wu, Chengcheng; Li, Juntao; Li, Zhiqiang; Zhang, Lin; Zhou, Kun; Deng, Xiaochuan
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2024
Acceso abierto
Artículo científico
2024
Estudio de simulación de un tiristor de puerta con conducción inversa sin pérdidas de apagado y sin disparo con estructura N-Float de 4H-SiC
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Propuesto
Nf-estructurado
4h-sic gto
Fenómeno de snapback
Resistencia lateral
Estructura de ánodo cortocircuitado
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 34
Citaciones: Sin citaciones
En este estudio, se propone un nuevo tiristor de apagado de compuerta de conducción inversa integrado de SiC 4H (GTO) que presenta una estructura flotante de tipo N (NF). El GTO de SiC 4H propuesto con estructura NF supera a los GTO convencionales de conducción inversa en la conducción directa, eliminando efectivamente el fenómeno de snapback. Esto se logra aumentando la resistencia lateral por encima del inyector P y modificando la trayectoria de corriente de electrones durante el encendido temprano. Se ha indicado que las estructuras NF con una concentración de dopaje de 2 x 10 cm y espesores superiores a 4 m eliminan con éxito el fenómeno de snapback. Además, la estructura con anodo cortocircuitado mejora la tensión de ruptura del GTO y reduce simultáneamente las pérdidas de apagado en un 85% a bajas densidades de corriente.
Descripción
En este estudio, se propone un nuevo tiristor de apagado de compuerta de conducción inversa integrado de SiC 4H (GTO) que presenta una estructura flotante de tipo N (NF). El GTO de SiC 4H propuesto con estructura NF supera a los GTO convencionales de conducción inversa en la conducción directa, eliminando efectivamente el fenómeno de snapback. Esto se logra aumentando la resistencia lateral por encima del inyector P y modificando la trayectoria de corriente de electrones durante el encendido temprano. Se ha indicado que las estructuras NF con una concentración de dopaje de 2 x 10 cm y espesores superiores a 4 m eliminan con éxito el fenómeno de snapback. Además, la estructura con anodo cortocircuitado mejora la tensión de ruptura del GTO y reduce simultáneamente las pérdidas de apagado en un 85% a bajas densidades de corriente.