En esta investigación, se fabricó una memoria de acceso aleatorio de conmutación resistiva (ReRAM) en forma de cuña nano basada en una capa de conmutación de SiN y electrodo inferior de silicio, y se investigaron sus características de conmutación multinivel. El electrodo inferior en forma de cuña se formó mediante un proceso de grabado húmedo con tetrametilamoniohidróxido (TMAH). Se demostró que la ReRAM de cuña nano tiene diferentes niveles de corriente de reinicio variando las corrientes de cumplimiento. Para explicar el efecto de modular las corrientes de cumplimiento, se mostraron las características de conmutación tanto de los comportamientos SET como RESET. Después de medir el dispositivo bajo cuatro corrientes de cumplimiento diferentes, se demostró que tiene diferentes niveles de corriente debido a un estado resistivo inhibido después de un proceso de conmutación SET. Además, se llevó a cabo una simulación de circuito SPICE para mostrar el efecto de la resistencia de línea en la suma de corriente para tamaños de matriz de 8 x 8 y 16 x 16. Estos resultados indican la importancia de minimizar la resistencia de línea para una implementación exitosa como una red neuronal basada en hardware.