Este trabajo investiga las diferentes sensibilidades de un transistor de efecto de campo sensible a iones (ISFET) basado en silicio sobre aislante completamente agotado (FDSOI). Utilizando herramientas de diseño asistido por computadora (TCAD), se determina la sensibilidad de un ISFET basado en FDSOI de una puerta (FDSOI-ISFET) a diferentes temperaturas y los efectos de la estructura de doble puerta planar en la sensibilidad. Se encontró que la sensibilidad aumenta linealmente con la temperatura, alcanzando 890 mV/pH a 75 grados Celsius. Al utilizar una estructura de doble puerta y ajustar el voltaje de la puerta de control, la sensibilidad puede reducirse de 750 mV/pH a 0 V de voltaje de puerta de control a 540 mV/pH a 1 V de voltaje de puerta de control. Los cambios de sensibilidad mencionados se producen porque el límite de Nernst cambia con la temperatura o el campo eléctrico generado por diferentes voltajes de puerta de control provoca cambios en el movimiento de portadores. Se demuestra que un solo FDSOI-ISFET puede tener una sensibilidad ajustable mediante el ajuste de la temperatura de funcionamiento o el voltaje de puerta de control del dispositivo de doble puerta.