Análisis de un doblador de frecuencia basado en FET de grafeno para la combinación de detección y modulación a través de simulación de modelo compacto
Autores: La Mura, Monica; Lamberti, Patrizia; Tucci, Vincenzo
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2024
Acceso abierto
Artículo científico
2024
Análisis de un doblador de frecuencia basado en FET de grafeno para la combinación de detección y modulación a través de simulación de modelo compacto
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Ambipolar
Conducción
Transistores de efecto de campo de grafeno
Circuitos radiofrecuencia no lineales analógicos
Propiedades térmicas
Propiedades mecánicas
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 33
Citaciones: Sin citaciones
La propiedad de conducción ambipolar de los transistores de efecto de campo de grafeno (GFET) y la inherente dependencia cuadrada de la corriente de drenaje en la tensión de compuerta, permiten el desarrollo de arquitecturas de dispositivos individuales para circuitos de radiofrecuencia (RF) no lineales analógicos.
Descripción
La propiedad de conducción ambipolar de los transistores de efecto de campo de grafeno (GFET) y la inherente dependencia cuadrada de la corriente de drenaje en la tensión de compuerta, permiten el desarrollo de arquitecturas de dispositivos individuales para circuitos de radiofrecuencia (RF) no lineales analógicos.