En este estudio, se analizaron los efectos de la dosis total de radiación ionizante (TID) en un transistor de efecto de campo (FET) de nanocable (NW) y un FET de nanolámina (NS). Los dispositivos tienen una estructura Gate-all-around (GAA) que se ven menos afectados por los efectos de TID porque las estructuras GAA tienen una mejor capacidad de control de puerta que las estructuras propuestas anteriormente, como los MOSFET planares y los FinFETs. Sin embargo, incluso para los dispositivos GAA con la misma área de sección transversal del canal y el mismo grosor equivalente de óxido, pueden existir diferencias estructurales, lo que puede resultar en diferentes tolerancias de los efectos de TID. Para observar las características de operación del dispositivo y del circuito de estos dispositivos GAA con diferencias estructurales, se diseñaron y simularon dispositivos n-tipo y p-tipo. La simulación de circuitos según los efectos de TID se realizó utilizando los parámetros comunes de multi-gate (CMG) del modelo de FET de compuerta aislada de canal corto de Berkeley (BSIM). El NS-FET generó más desplazamiento que el NW-FET porque el NS-FET tenía un área de óxido de puerta y circunferencia de canal más amplias, lo que resultó en más trampas de huecos de interfaz. El desplazamiento anormal conduce a una operación de circuito inestable y retrasos. Por lo tanto, se confirmó que la capacidad del NW-FET para tolerar los efectos de TID era mejor que la del NS-FET.