Abrazando la era de frecuencias de operación más altas, funcionalidad ampliada y mayor escala de integración, el diseño de circuitos moderno depende cada vez más de la predicción precisa de los efectos electromagnéticos (EM) resultantes de la radiación no deseada y el acoplamiento mutuo de dispositivos electrónicos digitales. En este documento, se propone un método de simulación basado en la física electromagnética para simular dispositivos y circuitos de semiconductores. Utiliza simulación basada en la física para analizar dispositivos de semiconductores en un circuito e incorpora esta simulación basada en la física en la simulación electromagnética (por ejemplo, el dominio de tiempo de diferencia finita (FDTD)) para simular un circuito a alta frecuencia. Para validar el método propuesto, se obtuvieron resultados numéricos de muestra en circuitos que contenían un diodo p-i-n comercial con número de modelo mot_bal99lt1 en radiofrecuencia (RF) y se compararon con datos de medición. La comparación mostró un buen acuerdo entre los dos conjuntos de datos, lo que validó la viabilidad y precisión del algoritmo propuesto. Además, el método propuesto puede proporcionar un mecanismo físico útil para comprender los efectos en dispositivos y circuitos de semiconductores.