En este estudio, se propone un IGBT de ánodo corto con una capa flotante mejorada por inyección (IEPF-IGBT) debajo de la capa N-buffer. En comparación con el IGBT de ánodo corto convencional (SA-IGBT), el IEPF-IGBT tiene las características estructurales de una capa P-flotante mejorada por inyección (IEPF) insertada en la capa N-buffer y la región colectora P+. La capa IEPF y la región colectora P+ cortan el camino de electrones durante el periodo de encendido para suprimir el efecto de snapback con una distancia de celda de 10 m. Además, la capa IEPF actúa como una capa mejorada por inyección que influye en la inyección de corriente de los huecos. Hay una reducción del 56.3% en la pérdida de apagado del IEPF-IGBT en el mismo voltaje directo.