Diseño de sensores de imagen CMOS de rayos X duros PAL-Si de bi-capa monolítica de alto Z para la mejora de la eficiencia cuántica
Autores: Lee, Eldred; Larkin, Kevin D.; Yue, Xin; Wang, Zhehui; Fossum, Eric R.; Liu, Jifeng
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2023
Acceso abierto
Artículo científico
2023
Diseño de sensores de imagen CMOS de rayos X duros PAL-Si de bi-capa monolítica de alto Z para la mejora de la eficiencia cuántica
Categoría
Gestión y administración
Subcategoría
Gestión del conocimiento
Palabras clave
Innovador
Rayos X duros
Capa de atenuación de energía de fotones
Alta energía
Mejora del rendimiento cuántico
CMOS basado en Si
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 43
Citaciones: Sin citaciones
Este artículo investiga experimentalmente la creación de una innovadora capa de atenuación de energía de fotones de rayos X duros (PAL) para avanzar en la detección de rayos X de alta energía (20-50 keV). Un diseño de bi-capa con una PAL de película delgada de alto Z en la parte superior y un sensor de imagen de Si en la parte inferior ha demostrado previamente un aumento del rendimiento cuántico a través de métodos computacionales mediante el principio de conversión descendente de energía de fotones (PEDC), donde las energías de los fotones de rayos X de alta energía se atenuan mediante dispersión inelástica.
Descripción
Este artículo investiga experimentalmente la creación de una innovadora capa de atenuación de energía de fotones de rayos X duros (PAL) para avanzar en la detección de rayos X de alta energía (20-50 keV). Un diseño de bi-capa con una PAL de película delgada de alto Z en la parte superior y un sensor de imagen de Si en la parte inferior ha demostrado previamente un aumento del rendimiento cuántico a través de métodos computacionales mediante el principio de conversión descendente de energía de fotones (PEDC), donde las energías de los fotones de rayos X de alta energía se atenuan mediante dispersión inelástica.