La procesabilidad de la solución de puntos cuánticos coloidales (CQDs) promete una integración sencilla con circuitos integrados de lectura de silicio (Si-ROCIs), lo que permite un sensor de imagen CMOS de infrarrojo cercano (NIR; CMOS significa semiconductor de óxido metálico complementario). Los CIS de NIR de CQD previamente demostrados se lograron mediante la integración de un fotodiodo de CQD o un FotoFET con Si-ROCIs. Aquí, realizamos un estudio de simulación para investigar la viabilidad de un CIS de NIR habilitado por otra estrategia de integración, es decir, formando una heterounión CQD-Si. Los resultados de la simulación muestran claramente que cada píxel activo hecho de un fotodiodo de heterounión CQD-Si en el CIS responde de manera sensible a la luz NIR, y los fotocarriers generados inducen cambios en los potenciales electrostáticos en el píxel activo. Los cambios de potencial se leen a través de los circuitos integrados como se validó mediante la simulación de la secuencia de tiempo de lectura.