El estudio actual se centra en la deformación unidimensional (1D) en un medio semiconductor microelongado excitado impactado por optoelectrónica con calor pulsado láser exponencial. Se considera el efecto de difusión en un problema fototérmico de un medio semiconducto. Se han introducido optoelectrónicas microelongadas y una amplia variedad de conceptos. Se han encontrado soluciones apropiadas para un conjunto de ecuaciones diferenciales de difusión fototérmica microelongada. Se piensa que las características homogéneas (térmicas y mecánicas) e isotrópicas del medio están en la dirección - incluyendo ecuaciones de difusión acopladas. La teoría de foto-termoelasticidad lineal (PTE) de semiconductores se utiliza para describir ondas termoelastodifusivas. Como estudio de caso, el marco teórico desarrollado puede ser utilizado para explorar el problema microelongación-foto-termoelástico en un medio semiconductor causado por el pulso láser. Las soluciones lineales analíticas para las cantidades principales durante la deformación termoelástica (TD) y electrónica (ED) se obtienen utilizando transformadas de Laplace para cantidades adimensionales. Para obtener expresiones exactas de las variables físicas importantes de acuerdo con ciertas condiciones de contorno superficiales, se realizan soluciones aproximadas numéricas de las relaciones relevantes fundamentales en el dominio del tiempo inverso de Laplace. Para describir la propagación de ondas de los campos físicos gráficamente, se derivan los resultados computacionales para el material semiconductor de silicio (Si) utilizando varios casos de memoria térmica y factores de microelongación.