Revisión del reciente progreso en diodos de barrera Schottky (SBD) de potencia vertical basados en GaN
Autores: Sun, Yue; Kang, Xuanwu; Zheng, Yingkui; Lu, Jiang; Tian, Xiaoli; Wei, Ke; Wu, Hao; Wang, Wenbo; Liu, Xinyu; Zhang, Guoqi
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2019
Acceso abierto
Artículo científico
2019
Revisión del reciente progreso en diodos de barrera Schottky (SBD) de potencia vertical basados en GaN
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Nitruro de galio
Potencia vertical
Diodo de barrera Schottky
Alta frecuencia
Aplicaciones de alta potencia
Flujo de fabricación
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 33
Citaciones: Sin citaciones
El diodo de barrera Schottky (SBD) de potencia vertical basado en nitruro de galio (GaN) ha demostrado características sobresalientes en aplicaciones de alta frecuencia y alta potencia.
Descripción
El diodo de barrera Schottky (SBD) de potencia vertical basado en nitruro de galio (GaN) ha demostrado características sobresalientes en aplicaciones de alta frecuencia y alta potencia.