Revisión del amplificador de potencia de banda Ka
Autores: Wang, Zhong; Hu, Shanwen; Gu, Ling; Lin, Lujun
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2022
Acceso abierto
Artículo científico
2022
Revisión del amplificador de potencia de banda Ka
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Comunicación por satélite
Banda Ka
Amplificador de potencia
Transmisor
Banda de frecuencia
Tecnologías de estado sólido
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 38
Citaciones: Sin citaciones
Con el aumento en la demanda de comunicación de transmisión de alta velocidad, la comunicación por satélite se está desarrollando rápidamente. Debido a la capacidad de ancho de banda, la banda K/Ka se considera la banda de frecuencia principal de la comunicación por satélite. El rendimiento de un amplificador de potencia (PA) afecta directamente la potencia del transmisor, por lo que la aplicación de un amplificador de potencia en la comunicación por satélite de banda Ka es muy importante. Una revisión del estado del arte de PA en la banda Ka se presenta en este artículo. La estructura del PA presentado incluye fuente común, cascode, transistor de efecto de campo apilado (FET), combinación de potencia y PA de Doherty, resaltando las ventajas y desventajas. Se esbozan las principales tecnologías de estado sólido, incluyendo Si, SiGe, GaAs y GaN, enfatizando Si complementario de metal-óxido-semiconductor (CMOS) debido al bajo precio y alta integración.
Descripción
Con el aumento en la demanda de comunicación de transmisión de alta velocidad, la comunicación por satélite se está desarrollando rápidamente. Debido a la capacidad de ancho de banda, la banda K/Ka se considera la banda de frecuencia principal de la comunicación por satélite. El rendimiento de un amplificador de potencia (PA) afecta directamente la potencia del transmisor, por lo que la aplicación de un amplificador de potencia en la comunicación por satélite de banda Ka es muy importante. Una revisión del estado del arte de PA en la banda Ka se presenta en este artículo. La estructura del PA presentado incluye fuente común, cascode, transistor de efecto de campo apilado (FET), combinación de potencia y PA de Doherty, resaltando las ventajas y desventajas. Se esbozan las principales tecnologías de estado sólido, incluyendo Si, SiGe, GaAs y GaN, enfatizando Si complementario de metal-óxido-semiconductor (CMOS) debido al bajo precio y alta integración.