La estabilidad del proceso de encendido del transistor de avalancha (AT) es esencial para su amplia aplicación en semiconductores de potencia. El proceso de encendido solía describirse típicamente en términos unidimensionales, pasando por alto los efectos de las variaciones estructurales multidimensionales en la estabilidad. Este documento investigó la influencia de la distribución lateral de los canales de corriente en la fluctuación del retardo de encendido en el AT. El tamaño lateral del canal de corriente afecta el tiempo de tránsito al cambiar la trayectoria de los electrones en la región de la base, lo que resulta en la fluctuación del retardo de encendido del AT. Se ha propuesto una fórmula analítica para el tamaño lateral del canal de corriente y la fluctuación del retardo de encendido. El modelo de simulación bidimensional del AT proporcionó la distribución de los canales de corriente. La precisión del modelo fue verificada al comparar los datos experimentales y de simulación. Los datos experimentales demostraron que el tiempo de tránsito de la base era el componente principal del retardo de encendido. Los resultados muestran que la fluctuación del retardo de encendido puede reducirse significativamente ajustando el tamaño lateral del canal de corriente. Además, las características de la señal de activación también cambian la distribución lateral del canal de corriente y afectan la estabilidad del retardo de encendido, lo que proporciona una nueva perspectiva para el diseño y aplicación de los AT.