Análisis de simulación numérica de las características de conmutación en los MOSFET de fuente-trinchera
Autores: Cheon, Jinhee; Kim, Kwangsoo
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2020
Acceso abierto
Artículo científico
2020
Análisis de simulación numérica de las características de conmutación en los MOSFET de fuente-trinchera
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Capacitancia
Región de fuente trinchada
Región de protección P+ en la parte inferior de la trinchera de la compuerta
Características dinámicas
Figura de mérito de alta frecuencia
Velocidad de conmutación
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 43
Citaciones: Sin citaciones
En este artículo, comparamos las características estáticas y de conmutación del UMOSFET convencional de 4H-SiC (C-UMOSFET), el MOSFET de doble trinchera (DT-MOSFET) y el MOSFET de trinchera de fuente (ST-MOSFET) a través de simulación TCAD.
Descripción
En este artículo, comparamos las características estáticas y de conmutación del UMOSFET convencional de 4H-SiC (C-UMOSFET), el MOSFET de doble trinchera (DT-MOSFET) y el MOSFET de trinchera de fuente (ST-MOSFET) a través de simulación TCAD.