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mecanismo de perturbación electromagnética de la tarjeta de adquisición del transformador de corriente electrónico bajo interferencia electromagnética de alta frecuencia

Autores: Liu, Guanchen; Zhao, Peng; Zhao, Mingmin; Yang, Zhichao; Chen, Henglin

Idioma: Inglés

Editor: MDPI

Año: 2020

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Acceso abierto

Artículo científico
2020

mecanismo de perturbación electromagnética de la tarjeta de adquisición del transformador de corriente electrónico bajo interferencia electromagnética de alta frecuencia


Categoría

Ingeniería y Tecnología

Subcategoría

Ingeniería Eléctrica y Electrónica

Palabras clave

Transformador de corriente electrónico
Tarjeta de adquisición ECT
Redes inteligentes
Entorno electromagnético
Interruptor de gas aislado
Interferencia electromagnética

Licencia

CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual

Consultas: 38

Citaciones: Sin citaciones


Descripción
La tarjeta de adquisición del transformador de corriente electrónico (ECT) se utiliza ampliamente en las redes inteligentes con muchas ventajas. Sin embargo, con la mejora continua de la red eléctrica y los dispositivos electrónicos inteligentes localizados, el entorno electromagnético en las condiciones de operación de las subestaciones de interruptores aislados de gas (GIS) se está volviendo más complicado. La fiabilidad y seguridad de la tarjeta de adquisición del ECT se verán amenazadas debido al entorno electromagnético complicado. Para resolver estos problemas, este documento investiga el mecanismo perturbado electromagnético de la tarjeta de adquisición del ECT. Se estudiaron los efectos de diferentes métodos de puesta a tierra en la interferencia electromagnética de la tarjeta de adquisición del ECT. Se construyó una plataforma basada en la norma IEC 61000-4-4, y se midió la interferencia electromagnética (EMI) de la tarjeta de adquisición del ECT con diferentes métodos de puesta a tierra. Los resultados muestran que la impedancia de puesta a tierra más baja del sistema de adquisición del ECT aumentó la EMI interna. Además, se analizó el mecanismo de acoplamiento de transitorios rápidos eléctricos de alta frecuencia. Se extrajeron los parámetros parásitos de la tarjeta de adquisición basados en el circuito crítico utilizando el método de elementos finitos. Luego, se estableció el modelo de acoplamiento de EMI de alta frecuencia de la tarjeta de adquisición del ECT.

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