El endurecimiento a la radiación de los MOSFET de potencia (transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico) es de la más alta prioridad para mantener sistemas de alta potencia en el entorno de radiación espacial. Los dispositivos electrónicos de potencia basados en carburo de silicio (SiC) están siendo investigados como una fuerte alternativa para sistemas electrónicos de potencia en el espacio. Se ha demostrado que los MOSFET de SiC son los más propensos a la quemadura por evento único (SEB) debido a la radiación espacial. El conocimiento actual sobre la degradación de dispositivos MOSFET de SiC y los mecanismos de falla se revisan en este documento. Además, se evalúa la viabilidad de diseños de MOSFET de SiC tolerantes a la radiación y los métodos de modelado de los fenómenos de SEB. Se propone un sistema de mérito para considerar el rendimiento de la tolerancia a la radiación y el rendimiento eléctrico nominal. También se revisan los criterios necesarios para simulaciones de SEB de alta fidelidad. Este documento representa una revisión analítica necesaria para intervenir en el desarrollo de dispositivos de potencia endurecidos a la radiación para aplicaciones en entornos espaciales y extremos.