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Análisis completo de la corriente de detección y su guía para el peor escenario posible de operación de lectura de RRAM

Autores: Tang, Zhensen; Wang, Yao; Chi, Yaqing; Fang, Liang

Idioma: Inglés

Editor: MDPI

Año: 2018

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Acceso abierto

Artículo científico
2018

Análisis completo de la corriente de detección y su guía para el peor escenario posible de operación de lectura de RRAM


Categoría

Ingeniería y Tecnología

Subcategoría

Ingeniería Eléctrica y Electrónica

Palabras clave

Sintiendo corrientes
Parámetros del dispositivo
Escenario de peor caso
Operación de lectura
Rutas furtivas parásitas
Resistencia de interconexión

Licencia

CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual

Consultas: 37

Citaciones: Sin citaciones


Descripción
En este documento, se estudia de manera exhaustiva la dependencia de las corrientes de detección en varios parámetros del dispositivo mediante la simulación del conjunto completo de matrices en cruz en lugar de su modelo analítico equivalente. El escenario más desfavorable para la operación de lectura se analiza estrictamente y se define en términos de la ubicación seleccionada y el patrón de datos, respectivamente, basado en el efecto de las rutas furtivas parásitas y la resistencia de interconexión. Se muestra que el patrón de datos más desfavorable depende del equilibrio entre el efecto de derivación de las rutas furtivas parásitas y el efecto de inyección de corriente de las fugas furtivas parásitas, lo que requiere un análisis específico en simulaciones prácticas. Para abordar esto, proponemos un concepto del tamaño del conjunto de umbrales que incorpora el equilibrio para definir el patrón de datos más desfavorable dependiente de los parámetros. Esta figura de mérito proporciona pautas para el análisis del escenario más desfavorable de las operaciones de lectura del conjunto de matrices en cruz.

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