Este documento informa sobre un resonador de onda acústica de superficie (SAW) de LNO basado en un modo horizontal de corte con una alta frecuencia de operación de más de 3 GHz, un gran acoplamiento electromecánico del 33,54%, un factor Q de 380 y una figura de mérito (FOM) relativamente buena de 127. Combinando la tecnología de corte de cristal-ion (CIS) con un método de unión a temperatura ambiente, se prepara con éxito una película delgada de LNO monocristalina de 4 pulgadas sobre silicio. Se analiza de manera integral la influencia de la película de LNO dañada en la calidad cristalina y el rendimiento de SAW. Después de eliminar completamente la capa dañada, el acoplamiento electromecánico y el factor Q mejoran significativamente. El resonador SAW de alto rendimiento posee el potencial para cumplir con los requisitos de los filtros SAW para la comunicación de quinta generación (5G) en términos de alta frecuencia, ancho de banda grande y un factor de calidad alto.