A medida que la investigación sobre aditivos e impurezas introducidas intencionalmente en películas delgadas dieléctricas para mejorar las memorias de acceso aleatorio basadas en el cambio resistivo (RRAM) continúa ganando impulso, el objetivo del estudio fue evaluar los efectos de nanopartículas de Ni (NPs) pre-sintetizadas químicamente incrustadas en una capa dieléctrica en la estructura general y las propiedades de cambio resistivo.