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Análisis de rendimiento del acoplador MMI de silicio con revestimiento de SiGe en presencia de estrés

Autores: Kumari, Sneha; Pathak, Akhilesh Kumar; Gangwar, Rahul Kumar; Gupta, Sumanta

Idioma: Inglés

Editor: MDPI

Año: 2023

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Acceso abierto

Artículo científico
2023

Análisis de rendimiento del acoplador MMI de silicio con revestimiento de SiGe en presencia de estrés


Categoría

Ingeniería y Tecnología

Subcategoría

Ingeniería de Sistemas

Palabras clave

Influencia
Temperatura de funcionamiento
Efectos inducidos por estrés
Silicio sobre aislante
Acoplador de interferencia multimodal
SiGe

Licencia

CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual

Consultas: 21

Citaciones: Sin citaciones


Descripción
En este estudio, demostramos la influencia de la variación de la temperatura de funcionamiento y los efectos inducidos por el estrés en un acoplador de interferencia multimodal (MMI) basado en silicio sobre aislante (SOI). Aquí, SiGe se introduce como la capa de revestimiento para analizar su efecto en el rendimiento óptico del acoplador MMI. El grosor del revestimiento de SiGe varía de 5 nm a 40 nm. La caracterización del acoplador MMI para guías de onda de cresta con secciones transversales de ángulo de pendiente de pared lateral rectangular y trapezoidal se revisa en términos de relación de división de potencia y birrefringencia. La birrefringencia inducida por estrés como función de la temperatura de funcionamiento y el grosor del revestimiento para el modo fundamental ha sido calculada. Una guía de onda trapezoidal con 40 nm de grosor de revestimiento induce más estrés y, por lo tanto, afecta más la birrefringencia que una guía de onda rectangular de cualquier grosor. Los resultados de la simulación utilizando el método de elementos finitos (FEM) confirmaron que la variación de la temperatura de funcionamiento, el grosor del revestimiento superior y su efecto de estrés son parámetros significativos que modifican drásticamente el rendimiento de un acoplador MMI.

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