logo móvil
Contáctanos

Un regulador de bajo dropout con mejora de PSRR a través de la técnica de cancelación de ripple de avance en proceso CMOS de 65 nm

Autores: Choe, Young-Joe; Nam, Hyohyun; Park, Jung-Dong

Idioma: Inglés

Editor: MDPI

Año: 2020

Descargar PDF

Acceso abierto

Artículo científico
2020

Un regulador de bajo dropout con mejora de PSRR a través de la técnica de cancelación de ripple de avance en proceso CMOS de 65 nm


Categoría

Ingeniería y Tecnología

Subcategoría

Ingeniería Eléctrica y Electrónica

Palabras clave

Propuesto
PSRR
FFRC
Mejora
Caída de voltaje
Regulación de carga

Licencia

CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual

Consultas: 24

Citaciones: Sin citaciones


Descripción
En este documento, se propone un regulador de baja caída de tensión (LDO) con una ratio de rechazo de la fuente de alimentación mejorada (PSRR) utilizando una técnica de cancelación de ondulaciones de avance (FFRC) en tecnología CMOS de 65 nm. Esta técnica mejora significativamente el PSRR en un amplio rango de frecuencias, en comparación con un regulador LDO convencional. El regulador LDO proporciona 35-76.8 dB de PSRR en el rango de 1 MHz-1 GHz, lo que muestra hasta 30 dB de mejora en el PSRR en comparación con el del regulador LDO convencional. El regulador LDO implementado tiene una caída de tensión de 0.22 V y una corriente máxima de carga de 20 mA. También puede proporcionar una tensión de salida de 0.98 V en un rango de 1-1.3 V de la tensión de entrada. La regulación de carga es de 2.3 mV/mA mientras que la regulación de línea es de 0.05 V/V. El circuito consume 385 A con una tensión de entrada de 1.2 V. El área total sin pads es de 0.092 mm.

Otros recursos que podrían interesarte

Temas Virtualpro