Una corriente de fuga es el parámetro más crítico para caracterizar el daño por radiación de iones pesados en los MOSFET de SiC. Un análisis preciso y refinado del origen y proceso de generación de una corriente de fuga es clave para revelar el mecanismo de falla. Por lo tanto, este artículo prueba finamente los cambios en la corriente de fuga en línea y post-irradiación y las vías de fuga de los MOSFET de SiC causadas por la irradiación de iones pesados, analiza la ubicación dañada del dispositivo en reversa y discute el mecanismo de generación de fuga. Los resultados experimentales confirman además que un aumento en la corriente de fuga de un dispositivo durante la irradiación de iones pesados está positivamente correlacionado con el voltaje aplicado en el drenaje, pero la vía de fuga no es directa desde el drenaje hasta la fuente. El análisis experimental del origen de la corriente de fuga del dispositivo después de la irradiación indica que también hay una vía de corriente de fuga entre la compuerta del dispositivo y la fuente. Los resultados de la investigación sugieren que la muestra experimental es más propensa a un efecto de ruptura de la compuerta por evento único bajo esta condición de radiación de iones pesados. El fallo de la compuerta ocurre principalmente en la capa de óxido de la compuerta en la región del cuello. Esta investigación puede proporcionar una base teórica para el refuerzo de la resistencia a la radiación de los dispositivos de potencia de SiC.